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发明名称 Method for manufacturing semiconductor device
摘要 <p>먼저, 얼라인먼트 마크가 형성된 반도체 기판 상에 도전층을 형성한다. 그런 후, 도전층의 배선층이 형성될 영역 및 얼라인먼트 마크 상에 포토레지스트를 선택적으로 형성한다. 그리고, 이 포토레지스트를 마스크로 이용하여 도전층을 에칭한다.</p>
申请公布号 KR19990072590(A) 申请公布日期 1999.09.27
申请号 KR19990004845 申请日期 1999.02.11
申请人 null, null 发明人 고무로마사히로
分类号 H01L21/3205;H01L21/027;H01L23/544 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
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