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<p>커패시터의 제조 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관하며, 상부전극의 박리를 방지하여, 커패시터의 전기적 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 커패시터를 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 커패시터는 하부 전극(22)과, 상기 하부 전극(22) 상에 형성된 산화 유전체막(23)과, 상기 산화 유전체막(23)상에 형성되고, 밀도 1×10atoms/cm이상의 산소가 함유되어 있는 적어도 백금으로 된 상부 전극(24)을 포함한다.</p> |
