发明名称 METHOD AND ARRANGEMENT FOR PRODUCING THIN METAL CHALCOGENIDE LAYERS
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten beispielsweise für den Einsatz als Absorber- bzw. Pufferschichten in Solarzellen. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Anordnung anzugeben zur einfachen Herstellung homogener Metallchalkogenid-Schichten in gleichbleibender Qualität unter Beachtung ökonomischer und ökologischer Gesichtspunkte. Die Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die Angabe eines Verfahrens mit nachstehend aufgeführten Verfahrensschritten erreicht: 1. Aufbringen einer Lösung einer Metallverbindung auf ein Substrat zur Adsorption von Metallionen, 2. Feuchtigkeitsentzug aus dem Substrat mit den an dessen Oberfläche adsorbierten Metallionen, 3. Einleitung eines chalkogenwasserstoffhaltigen Gases zur Reaktion mit den adsorbierten Metallionen.
申请公布号 WO9948158(A1) 申请公布日期 1999.09.23
申请号 WO1999DE00811 申请日期 1999.03.12
申请人 HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH;FISCHER, CHRISTIAN;MOELLER, JESCO;KOENENKAMP, ROLF;LUX-STEINER, MARTHA, CHRISTINA;SIEBENTRITT, SUSANNE 发明人 FISCHER, CHRISTIAN;MOELLER, JESCO;KOENENKAMP, ROLF;LUX-STEINER, MARTHA, CHRISTINA;SIEBENTRITT, SUSANNE
分类号 C01G15/00;C23C8/02;C23C8/06;C23C10/22;H01L21/368;H01L31/04;H01L31/18;(IPC1-7):H01L31/18 主分类号 C01G15/00
代理机构 代理人
主权项
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