| 发明名称 | 稀土硫代氧化物晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，是采用助熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块压制和温度梯度法生长晶体步骤。该方法可以获得厘米量级，高质量的稀土硫代氧化物(Re<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>S)和稀土元素掺杂的稀土硫代氧化物(Re：Re<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>S)单晶体毛胚。 | ||
| 申请公布号 | CN1313650C | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200410053303.6 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 苏良碧;徐军;张连翰;杨卫桥;周国清;董永军;赵志伟;赵广军 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01);C30B29/46(2006.01) | 主分类号 | C30B11/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，其特征在于该方法是采用助熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块压制和温度梯度法生长晶体步骤。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||