动态随机存取存储器的电容器的制造方法

摘要

存储器电容器的制造方法:在衬底上形成第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层与第一多晶硅层;形成光刻胶层限定电容器外框;蚀刻第一多晶硅层与第二氧化层至氮化硅层;去光刻胶层;硅衬底上方淀积第三氧化层并蚀刻至氮化硅层;蚀刻第一氧化层露出硅衬底并在其上方形成第二多晶硅层及第四氧化层;用化学机械法研磨第四氧化层、第二多晶硅层及第一多晶硅层;去除第一多晶硅层;湿蚀刻去剩余的第四氧化层与第二化层至氮化硅层;硅衬底上方形成绝缘层;其上形成第三多晶硅层。

主权项

1.一种动态随机存取存储器的电容器的制造方法，包括下列步骤：在已形成金属氧化物半导体元件的一硅衬底上，依序形成一第一氧化层、一氮化硅层、一第二氧化层与一第一多晶硅层；在该第一多晶硅层表面形成一光刻胶层，用以限定该电容器外框；蚀刻该第一多晶硅层与该第二氧化层，蚀刻停止在该氮化硅层，形成一第一开口；除去该光刻胶层；在该硅衬底表面上方淀积一第三氧化层，覆盖该第一开口；蚀刻该第三氧化层，蚀刻停止于该氮化硅层；以蚀刻余留的该第三氧化层与该第一多晶硅层为掩模，蚀刻该氮化硅层；蚀刻该第一氧化层，形成一第二开口，暴露出该硅衬底；在该硅衬底表面上方形成一第二多晶硅层，覆盖该第二开口、该第一开口与该第一多晶硅层；在该第二多晶硅层表面形成一第四氧化层；以化学机械研磨法研磨该第四氧化层、该第二多晶硅层与该第一多晶硅层，在去除该第一多晶硅层后停止；湿蚀刻去除剩余的该第四氧化层与该第二氧化层，并以该氮化硅层为蚀刻终点的阻隔层；在该硅衬底表面上方形成一绝缘层；以及在该绝缘层表面形成一第三多晶硅层。