| 发明名称 |
Fabrication method of cadmium selenide thin film transistors |
| 摘要 |
<p>Ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren sowie ein Dünnschichttransistor mit einem Halbleiterkanal (13) aus Cadmium-Selenid und einer Passivierungsschicht (15) für den Halbleiterkanal, wobei die Passivierungsschicht (15) aus einem sauerstoffreien, elektrisch nichtleitenden Material besteht. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0944116(A2) |
申请公布日期 |
1999.09.22 |
| 申请号 |
EP19980121017 |
申请日期 |
1998.11.05 |
| 申请人 |
LUEDER, ERNST, PROF. DR.-ING. HABIL. |
发明人 |
LUEDER, ERNST;FROHNA, MICHAEL |
| 分类号 |
H01L23/29;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 |
主分类号 |
H01L23/29 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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