| 主权项 |
1.一种至少一个矽电容器之制造方法,其特征为: -在矽基体(1)之主面(11)中产生许多孔穴结构(2), -沿着孔穴结构(2)之表面产生一个设有电性活化式 掺杂物质之导电区(3), -在导电区(3)之表面上沈积一层介电层(4)和一层导 电层(5),这些层不填入孔穴结构(2)中, -在导电层(5)之表面上以基本上是保形(conform)之边 缘覆盖方式形成一层辅助层(6),辅助层(6)受到压缩 式机械应力, -将孔穴结构(2)填满。2.如申请专利范围第1项之方 法,其中 -矽基体(1)是n-掺杂, -孔穴结构藉由电化学蚀刻而形成。3.如申请专利 范围第2项之方法,其中 -须进行电化学蚀刻以便在含有氟化物之酸性之电 解液中形成孔穴结构(2),主面(11)保持与电解液接 触,须施加电压于电解液和矽基体(1)之间,使矽基 体(1)连接成阳极, -矽基体(1)之与主面(11)相对的背面在电化学蚀刻 过程中须被照射。4.如申请专利范围第1至第3项中 任一项之方法,其中须产生孔穴结构(2),其直径介 于0.5m和10m之间,其深度介于50m和500m之间, 此种孔穴结构(2)之纵横比(Aspect ratio)介于30和300之 间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中须形成多 层式之介电层(4),其层序列是由SiO2,Si3N4和SiO2所构 成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中 -须形成导电区(3),其具有掺杂物质浓度介于1020cm-3 和1021cm-3之间的磷或掺杂物质浓度介于1020cm-3和 1021cm-3之间的硼, -须形成介电层(4),其厚度介于10nm和100nm之间, -须形成导电层(5),其系由掺杂之多晶矽所构成, -须藉由热氧化作用而由SiO2形成辅助层(6),其厚度 介于30nm和250nm之间, -以多晶矽填入孔穴结构(2)中。7.如申请专利范围 第1项之方法,其中 -须形成导电区(3),其具有掺杂物质浓度介于1020cm-3 和1021cm-3之间的磷或掺杂物质浓度介于1020cm-3和 1021cm-3之间的硼, -须形成介电层,其厚度介于10nm和100nm之间, -须形成导电层(5),其系由掺杂之多晶矽所构成, -须形成一层由未掺杂之多晶矽所构成之辅助层, 其厚度介于50nm和200nm之间。8.如申请专利范围第1 项之方法,其中为了在主面(11)之区域中形成一种 至导电层(5)之电性接点,则须将辅助层(6)由导电层 (5)之表面去除,而孔穴结构(2)之区域中的辅助层(6) 则保留在导电层(5)之表面上。图式简单说明: 第一图在形成孔穴结构,导电区(沿着孔穴结构表 面),介电层,导电层以及辅助层之后且填满孔穴结 构之后的矽基体切面图。 第二图使导电层裸露于主面之区域中且使导电区 之表面裸露以形成接触区之后的矽基体切面图。 |
