| 发明名称 | 提高存储单元电容器面积的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及提高DRAM存储单元电容器面积的方法，该方法包括：在硅衬底上形成DRAM的字线；在硅衬底上形成浅沟隔离；制作位线；电介质覆盖，并形成存储电容的接触窗；填充材料到接触窗；交替形成两种电介质层；第一次刻蚀形成电容器图案；第二次刻蚀形成两种电介质层的不同刻蚀度；进行电容器的制作。由于该方法采用两种电介质材料和两步刻蚀方法，使两种电介质材料的刻蚀速率不同，因此，得到不规则的表面，由此增加其存储单元电容的面积，从而提高存储单元电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN101086978A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200610027449.2 | 申请日期 | 2006.06.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴金刚;三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.提高DRAM存储单元电容器面积的方法，包括：在硅衬底上形成DRAM的字线；在硅衬底上形成浅沟隔离；制作位线；电介质覆盖，并形成存储电容的接触窗；填充材料到接触窗；交替形成两种电介质层；第一次刻蚀形成电容器图案；第二次刻蚀形成两种电介质层的不同刻蚀度；进行电容器的后续制程。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||