发明名称 VERTICAL MOS TRANSISTOR AND METHOD THEREFOR
摘要 In one embodiment, a vertical MOS transistor is formed without a thick field oxide and particularly without a thick field oxide in the termination region of the transistor.
申请公布号 US2010078717(A1) 申请公布日期 2010.04.01
申请号 US20090630621 申请日期 2009.12.03
申请人 VENKATRAMAN PRASAD 发明人 VENKATRAMAN PRASAD
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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