首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
VERTICAL MOS TRANSISTOR AND METHOD THEREFOR
摘要
In one embodiment, a vertical MOS transistor is formed without a thick field oxide and particularly without a thick field oxide in the termination region of the transistor.
申请公布号
US2010078717(A1)
申请公布日期
2010.04.01
申请号
US20090630621
申请日期
2009.12.03
申请人
VENKATRAMAN PRASAD
发明人
VENKATRAMAN PRASAD
分类号
H01L29/78;H01L21/336
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
5-MEMBERED HETEROCYCLIC AMIDES AND RELATED COMPOUNDS
PYRIDONE DERIVATIVES AS ACID SECRETION INHIBITORS AND PROCESS FOR PREPARATION THEREOF
IMAGE FORMING APPARATUS EQUIPPED WITH SECURE PRINT FUNCTION, METHOD OF CONTROLLING THE SAME, AND STORAGE MEDIUM
COLOR-STABILIZED IODOPROPYNYL BUTYLCARBAMATE
MANNED SUBMARINE FOR UNDERWATER VIEWING AND EXPERIENCE
STRUCTURE FOR SUPPORTING BATTERY MODULE
感光性樹脂組成物及びその硬化物、並びに光学部品
石膏用分散剤
選択的PI3Kデルタ阻害剤
IMAGE DISPLAY DEVICE AND IMAGE DISPLAY SYSTEM
ラセカドトリル脂質組成物
CONTOUR-SHEAR VIBRATOR
MULTI-LAYERED NONWOVEN FABRIC
INKJET RECORDING MEDIA FOR OIL INK
METHOD OF MANUFACTURING LIGHT RECEIVING AND EMITTING ELEMENT
データアクセス方法、プログラムおよびデータアクセス装置
表示装置及び携帯端末装置
FLEXIBLE WIRING BOARD
λ/4位相差フィルムとその製造方法、円偏光板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
排ガスの処理方法