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发明名称 Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
摘要
申请公布号 USRE36311(E1) 申请公布日期 1999.09.21
申请号 US08/253151 申请日期 1994.06.02
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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