发明名称 非水电解质二次电池
摘要 一种非水电解质二次电池,包括:通过叠置一个长正电极和一个长负电极并卷绕所形成的叠置结构从而使正电极位于线圈电极的最外位置而形成的线圈电极,该正电极具有形成在一个正电极集电器的至少一个主表面上的正电极混合物层,且该负电极具有形成在一个负电极集电器的至少一个主表面上的一个负电极混合物层,其中正电极混合物层只被形成在与正电极的最外端邻近的位置和/或与正电极的最内端相邻的位置的集电器的主表面之一上。
申请公布号 CN1228625A 申请公布日期 1999.09.15
申请号 CN99103957.2 申请日期 1999.03.10
申请人 索尼株式会社 发明人 山口晃
分类号 H01M10/40;H01M10/36 主分类号 H01M10/40
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王茂华
主权项 1.一种非水电解质二次电池,包括:通过叠置一个长正电极和一个长负电极并卷绕所形成的叠置结构从而使所述正电极位于所述线圈电极的最外位置而形成的线圈电极,该正电极具有形成在一个正电极集电器的至少一个主表面上的正电极混合物层,且该负电极具有形成在一个负电极集电器的至少一个主表面上的一个负电极混合物层,其中所述正电极混合物层只被形成在与所述正电极的最外端邻近的位置和/或与所述正电极的最内端相邻的位置的所述集电器的主表面之一上,在位于所述正电极的最外端的所述正电极集电器上未形成所述正电极混合物层且只形成了所述正电极集电器,所述在位于所述负电极的最外端的所述负电极集电器上未形成所述负电极混合物层且只形成了所述负电极集电器,且位于所述负电极的最外端的所述负电极集电器的最外端,沿着从所述线圈电极的内部向着所述线圈电极的外部的方向,位于比所述正电极集电器的最外端更为向前的位置。
地址 日本东京