存储单元结构及其制造方法

摘要

在硅晶片的单晶衬底部分形成一对存储单元。首先形成一对由晶片衬底部分隔离的垂直沟槽。在沟槽壁上形成介电层后，用多晶硅填充沟槽。通过一对凹陷的形成和填充，在每个沟槽顶部形成外延生长硅区。每个外延硅区做成可用作独立晶体管的立体，晶体管在沟槽下部的多晶硅填充物上具有源极，而其源极在两个外延区之间的单晶衬底中间。每个沟槽的下部多晶硅填充制成用作每个单元的电容器的存贮结，衬底作为该电容器的另一极板。

主权项

1.一种用于形成动态随机存取存储器存储单元的方法，该存储单元包括一个晶体管和一个与之串联的电容器，该方法包括以下步骤：在一个半导体晶片表面上形成一个垂直沟槽；在上述沟槽壁上形成一个适合于作为电容器介电层的第一介电层；用掺杂多晶硅填充上述沟槽；在上述沟槽的多晶硅填充物中以第一深度形成一个第一凹陷；在上述第一凹陷壁上形成一个比第一介电层厚的环形介电层；以一个比上述第一深度小的第二深度形成一个第二凹陷；去除上述第二凹陷壁上的所有介电层；通过硅的外延生长再填充第二凹陷；刻蚀晶片以暴露外延生长硅的一部分；在外延生长硅的暴露部分形成一个适合于用作晶体管栅极介电层的介电层；在该栅极介电层上形成一个导电层，用作晶体管的栅极；以及形成一个与外延填充物接触的导电层用作晶体管的源极，而沟槽多晶硅填充物用作晶体管的漏极。