| 主权项 |
1.一种电容器之制造方法,其步骤包括:(a)提供一包含元件之半导体基底;(b)依序形成一第一绝缘层、一第二绝缘层、以及一第三绝缘层于该半导体基底上;(c)在该半导体预定形成电容器之位置上形成一柱状开口,裸露出该半导体基底之表面;(d)形成一第一导电层于该第三绝缘层上;(e)形成一第四绝缘层于该第一导电层上;(f)以该第三绝缘层为蚀刻终点,依序去除位在该第三绝缘层上方区域的该第四绝缘属及该第一导电层;(g)去除该第三绝缘层以及该第四绝缘层,完成一电容器之下电极;以及(h)依序形成一定义过的介电层以及第二导电层于该下电极上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层是二氧化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二绝缘层是氮化物层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第三绝缘层是二氧化矽层。5.如申请专利范围第2及第4项所述之方法,其中该二氧化矽层之厚度约为3000-6000 。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该氮化物层之厚度约为200-2000 。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该柱状开口形成之步骤包括:定义该第一绝缘层、该第二绝缘层、该第三绝缘层所形成之结构,并在预定形成电容器之位置形成一沟渠;形成一反反光层于该上述制程所形成之结构表面,并将该沟渠填满;形成一光阻层于该反反光层上,并在该沟渠上方裸露出一范围大于该通道宽度之开口;依序去除该开口下方未被该光阻层所覆盖之该反反光层、该第三绝缘层、该第二绝缘层,以及部分的该第一绝缘层;去除该光阻层以及该反反光层;以及形成一柱状开口。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该反反光层为对光不反应且对有机溶剂以及显影剂均无反应之材质所构成。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该反反光层系选自BARLi、XHRi-11.以及SWK365D所构成之族群。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该反反光层是以涂布方式形成。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一导电层是复晶矽层。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤f是利用蚀刻或化学机械研磨法去除该位在该第三绝缘层上方区域的该第四绝缘层及该第一导电层。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤g是利用湿蚀刻法去除该第三绝缘层以及残余的该第四绝缘层。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层之材质是选自氮氧化物、氧化氮氧化物或二氧化矽所构成之族群。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二导电层是复晶矽层。16.一种电容器之制造方法,其步骤包括:(a)提供一包含元件之半导体基底;(b)依序形成一第一绝缘层、一第二绝缘层、以及一第三绝缘层于该半导体基底上;(c)在该半导体预定形成电容器之位置上形成一沟渠,裸露出该半导体基底之表面;(d)形成一反反光层于该上述制程所形成之结构表面,并将该沟渠填满;(f)形成一光阻层于该反反光层上,并在该沟渠上方裸露出一范围大于该沟渠宽度之开口;(g)依序蚀刻去除该开口下方未被该光阻层所覆盖之该反反光层、该第三绝缘层、该第二绝缘层,以及部分的该第一绝缘层;(h)去除该光阻层以及该反反光层;(i)形成一柱状开口;(j)形成一第一导电层于该第三绝缘层上;(k)形成一第四绝缘层于该第一导电层上;(l)以该第三绝缘层为蚀刻终点,依序去除位在该第三绝缘层上方区域的该第四绝缘层及该第一导电层;(m)去除该第三绝缘层以及该第四绝缘层,完成一电容器之下电极;以及(n)依序形成一定义过的介电层以及第二导电层于该下电极上。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第一绝缘层是二氧化矽层。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第二绝缘层是氮化物层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该第三绝缘层是二氧化矽层。20.如申请专利范围第17及第19项所述之方法,其中该二氧化矽层之厚度约为3000-6000 。21.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该氮化物层之厚度约为200-2000 。22.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该反反层为对光不反应且对有机溶剂以及显影剂均无反应之材质所构成。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该反反光层之材质系选自BARLi、XHRi-11.以及SWK365D所构成之族群。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该反反光层是以涂布方式形成。25.如申请专利范围第16项所述之方法,其中在该蚀刻步骤将柱状开口定义出来后,更包括一将残余的反反光层以及定义用的光阻去除的步骤。26.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该步骤l是利用蚀刻或化学机械研磨法去除该位在该第三绝缘层上方区域的该第四绝缘层及该第一导电层。27.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该步骤m是利用湿蚀刻法去除该第三绝缘层以及残余的该第四绝缘层。28.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第一导电层是复晶矽层。29.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该介电层之材质是选自氮氧化物、氧化氮氧化物或二氧化矽所构成之族群。30.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二导电层是复晶矽层。图式简单说明:第一图A-第一图I显示习知一种柱状电容器的剖面制程。第一图D'-第一图E'是显示根据上述习知制程,在微影过程中发生对不准情形的制程。第二图A-第二图G显示根据本发明之柱状的电容器的制程。第二图C'-第二图G'是显示根据上述本发明之制程,在微影过程中发生对不准情形的制程。 |
