| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有备用循环和活性循环,其特征是具备有:备用降压电路,被配置在上述半导体装置之晶片上配置区域之周边部,在上述之备用循环和活性循环之期间进行动作,用来对外部电源电压进行降压藉以在内部电源线上产生内部电源电压;和至少为1个之活性降压电路,被配置在与上述之备用降压电路之配置区域不同之区域,在上述之活性循环时进行活性化,用来对外部电源电压进行降压藉以在上述之内部电源源上产生上述之内部电源电压。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备有中央控制电路,被配置在上述活性降压电路之近傍,在上述之活性循环时,以来自上述活性降压电路之内部电源电压作为其一方之动作电源电压藉以进行动作,经由接受从外部施加之控制信号用来产生内部控制信号。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备有:记忆器阵列,具有多个记忆器单元被排列成行列状;和行系控制电路,依照来自外部之控制信号用来控制与上述记忆器阵列之记忆器单元行之选择有关之动作;上述之行系控制电路被配置在上述活性降压电路近傍,以上述之内部电源线上之内部电源电压作为其一方之动作电源电压藉以进行动作。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备有:基准电压产生电路,被配置在上述周边部之区域,用来产生基准电压;上述之活性降压电路和上述之备用降压电路更分别具备有内部电压调整电路,用来使上述之基准电压和上述内部电源线上之内部电源电压之对应之电压进行比较,依照其比较结果从被供给有上述外部电源电压之节点将电流供给到上述之内部电源线。5.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中更具备有:基准电压产生电路,被配置在上述周边部之区域,用来产生基准电压;上述之活性降压电路和上述之备用降压电路更分别具备有内部电压调整电路,用来使上述之基准电压和上述内部电源线上之内部电源电压之对应之电压进行比较,依照其比较结果从被供给有上述外部电源电压之节点将电流供给到上述之内部电源线。6.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中更具备有:基准电压产生电路,被配置在上述周边部之区域,用来产生基准电压;上述之活性降压电路和上述之备用降压电路更分别具备有内部电压调整电路,用来使上述之基准电压和上述内部电源线上之内部电源电压之对应之电压进行比较,依照其比较结果从被供给有上述外部电源电压之节点将电流供给到上述之内部电源线。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之半导体装置配置区域被第1中央区域和第2中央区域分割成4个区域,该第1中央区域沿着第1方向延伸和被配置在与上述第1方向正交之第2方向之中央部,该第2中央区域沿着上述之第2方向延伸和被配置在上述第1方向之中央;上述之备用降压电路被配置在上述第1中央区域之周边部;和上述之活性降压电路至少被配置在上述之第2中央区域。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之活性降压电路被设置有多个。9.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中上述之活性降压电路被设置有多个。10.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中上述之至少为1个之活性降压电路包含有活性降压电路被配置在上述第1中央区域之与上述第2中央区域有关之上述周边部区域之互相面对之区域。11.如申请专利范围第1至10项中之任一项之半导体装置,其中更具备有电源衬垫,被配置在上述之备用降压电路和上述之活性降压电路之对应之近傍,用来接受上述之外部电源电压藉以供给到对应之降压电路。12.一种半导体装置,形成在晶片上,其特征是具备有:基准电压产生电路,被配置在上述晶片上之上述半导体装置配置区域周边部之第1区域,用来产生基准电压;和多个驱动电路,被配置在与上述第1区域不同之第2区域,用来在各个对应之内部电源线上产生内部电源电压;上述之驱动电路各包含有:可变位准移位电路,用来使对应之内部电源线上之电压进行位准移位,可以用来调整其移位量;和内部电压调整电路,用来使上述可变位准移位电路之输出电压和来自上述基准电压产生电路之基准电压进行比较,依照其比较结果从外部电源电压施加节点将电流供给到对应之内部电源线;和具备有调谐电路,被配置在上述之第1区域和被上述之多个驱动电路共同结合,用来设定上述多个驱动电路之各个之可变位准移位电路之位准偏移量。13.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述之可变位准移位电路包含有电阻电路,利用电阻値可调整之电阻元件用来使对应之内部电源线上之电压进行位准移位的降低;和上述之调谐电路包含有熔丝程式规划电路,利用熔丝元件之熔断用来调整上述各个电阻电路之电阻元件之电阻値藉以产生信号。14.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述之晶片被第1中央区域和第2中央区域分割成4个区域,该第1中央区域被配置在第2方向之中央和沿着第1方向延伸,该第2中央区域被配置在上述第1方向之中央和沿着上述之第2方向延伸,上述之第1区域被配置在上述第1中央区域之周边部,和上述之驱动电路至少被配置在上述之第2中央区域。15.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中上述之晶片被第1中央区域和第2中央区域分割成4个区域,该第1中央区域被配置在第2方向之中央和沿着第1方向延伸,该第2中央区域被配置在上述第1方向之中央和沿着上述之第2方向延伸,上述之第1区域被配置在上述第1中央区域之周边部,和上述之驱动电路至少被配置在上述之第2中央区域。16.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中结合在上述外部电源电压施加节点之外部电源衬垫被配置在对应之驱动电路之近傍,形成与上述之驱动电路对应。17.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中上述之多个驱动电路包含有驱动电路被配置在上述第1中央区域之与上述第2中央区域有关之与上述第1区域互相面对之区域。图式简单说明:第一图概略的表示依照本发明之实施形态1之半导体装置之实例。第二图概略的表示第一图所示之备用降压电路之构造。第三图概略的表示第一图所示之活性降压电路之构造。第四图概略的表示第一图所示之行系控制电路所控制之行系电路之构造。第五图概略的表示本发明之实施形态1之配线布置。第六图概略的表示本发明之实施形态1之变更例之配线布置。第七图概略的表示本发明之实施形态2所使用之驱动电路之构造。第八图(A)概略的表示第七图所示之调谐电路之构造之一实例,(B)表示第七图所示之基准电压发生电路之构造之一实例。第九图概略的表示依照本发明之实施形态2之半导体装置之全体之布置。第十图概略的表示本发明之实施形态2之配线布置。第十一图概略的表示习知之内部降压电路之构造。第十二图概略的表示习知之内部降压电路之变更例之构造。 |
