| 主权项 |
1.一种电浆成膜方法,包含有:一电浆化工程,系将碳及含有氟化合物气体与碳化氢气体之成膜气体,予以电浆化;以及一成膜工程,系利用前述电浆,而在被处理体上成膜由添加氟之碳膜所成之绝缘膜。2.如申请专利范围第1项所记载之电浆成膜方法,前述化合物气体乃是包含碳与氟之2重结合或3重结合。3.如申请专利范围第1项所记载之电浆成膜方法,前述化合物气体乃是包含以4个CF基所结合之碳。4.如申请专利范围第1项所记载之电浆成膜方法,前述化合物气体更包含氢。5.如申请专利范围第1项所记载之电浆成膜方法,其中前述成膜工程更含有:一矽基板上成膜工程,系将前述添加氟之碳膜,于处理工程环境之压力为1Pa以下,而成膜在前述被处理的矽基板上。6.一种电浆成膜方法,包含有:一电浆化工程,系在电浆处理装置之电浆室内,导入于真空环境内之每单位体积(1立方公尺)有10KW以上以微波,同时,外加磁场,并依电子回旋加速器共鸣,将电浆生成用气体予以电浆化;一电浆化工程,系将前述电浆导入至前述电浆处理装置之成膜室内,并将碳及氟之化合物气体、或碳、氟及含有氢之化合物气体,与碳化氢气体之成膜气体予以电浆化;以及一成膜工程,系由前述经电浆化之成膜气体,将以添加氟之碳膜所成之绝缘膜予以成膜。7.一种电浆成膜方法,包含有:一电浆化工程,系在备有被处理体之载置台的真空容器内,而将碳及氟之化合物气体,或碳、氟及含有氢之化合物气体与碳化氢气体之成膜气体,予以电浆化;以及一成膜工程,系在前述载置台,外加对该载置台之载置面的每单位面积,有3.14w/cm2以上之备压电力,而将电浆中之离子引进至被处理体,而同时依前述电浆,在被处理体上成膜由添加氟之碳膜所成之绝缘膜。8.一种电浆成膜方法,包含有:一电浆化工程,系将碳及氟之化合物气体,或碳、氟及含有氢之化合物气体与氧气电浆生成用气体之处理气体,予以电浆化;以及一成膜工程,系依前述电浆,而在被处理体上将以添加氟之碳膜所成之绝缘膜,予以成膜。9.一种电浆成膜方法,包含有:一成膜工程,系将碳及氟之化合物气体,或碳、氟及含有氢之化合物气体的成膜气体,予以电浆化,并依该电浆,在被处理体上将由添加氟之碳膜所成之缘膜,予以成膜;一刻蚀工程,系从前述成膜气体切换为氧气电浆生成用气体,而生成氧气电浆,并依法氧气电浆而将前述绝缘膜之一部份,予以刻蚀;以及一成膜工程,系从前述氧气电浆切换为前述成膜气体,而生成电浆,并依该电浆而在被处理体上,将由添加氟之碳膜所成之绝缘膜,予以成膜。10.一种电浆成膜方法,包含有:一电浆生成工程,系将交流电力供予处理气体,而生成电浆;以及一成膜工程,系依比该前述交流电力之频率为低之频率的脉冲,而将前述交流电力予以作ON-OFF动作,并依前述电浆在被处理体上成膜薄膜。11.一种电浆处理装置,包含有:一电浆室,系欲将电浆生成用气体,予以电浆化;一第1产生器,系在前述电浆室内,予以产生微波;一形成器,系在前述电浆室内,形成磁场;一第1供给部,系将前述电浆生成用气体供给至前述电浆室内;一成膜室,系欲在被处理体上成膜绝缘膜;及一第2供给器,系供给碳及氟之化合物气体,或碳、氟及含有氢之化合物气体与碳化氢气体之成膜气体,至前述成膜室内;而由前述微波与前述磁场之相作用而产生电子回旋加速器共鸣,使所电浆化之前述生成用气体被导入至前述成膜室,而前述成膜气体被电浆化,并依该所电浆化成膜气体,而成膜以添加氟之碳膜所成之绝缘膜。12.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,前述第1产生器产生于真空环境内之每一单位体积(1立方公尺),有10KW以上之微波。13.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,更含有:一外加备压电力机构,系载置前述被处理体之载置台,在其载置面之每单位面积上要外加3.14w/cm2以上之备压电力之机构。14.如申请专利范围第11项所记载之电浆处理装置,更含有:一第2产生器,系产生比前述微波之频率为低之频率的脉冲,并以该脉冲而将前述微波予以作ON-OFF动作。图式简单说明:第一图系表示欲实施本发明之电浆成膜方法,所使用之电浆处理装置之一例的纵断侧面图。第二图系表示成膜气体之种类与CF膜之比介电率的关系之特性图。第三图系表示成膜气体之种类与CF膜之密着性的特性图。第四图系表示成膜气体之种类与CF膜之硬度的关系之特性图。第五图系表示CF膜之X线光电子分光光谱之结果的特性图。第六图(a)、(b)系表示对于CF膜予以变化温度时,对所发生之气体作质量分析之结果的特性图。第七图(a)-(c)为成膜气体之分子构造的说明图。第八图(a)、(b)系表示对于CF膜予以变化温度时,对所发生之气体做质量分析之结果的特性图。第九图系表示成膜气体之反应情况的说明图。第十图系表示对于CF膜予以变化温度时,对所发生之气体作其质量分析之结果的特性图。第十一图(a)、(b)系表示对于CF膜予以变化温度时,对所发生之气体作其质量分析之结果的特性图。第十二图(a)、(b)系表示处理压力别之备压电力与成膜速度之关系的特性图。第十三图系表示处理压力与CF膜之应力之关系的说明图。第十四图系表示对于CF膜之压力状态之说明图。第十五图系表示微波电力对于CF膜之密着性之依存性的说明点。第十六图系表示微波电力对于CF膜之膜厚均一性之依存性的说明点。第十七图系表示备压电力对于CF膜之密着性之依序性的说明图。第十八图系表示备压电力对于CF膜之膜厚均一性之依存性的说明图。第十九图系表示备压电力与填埋可能之凹部之宽高比的关系之说明图。第二十图系表示依CF膜作配线间之填埋之情形的说明图。第二十一图(a)-(d)系表示依CF膜作配线间之填埋之情形的说明图。第二十二图系表示使用于本发明其他实施例之电浆处理装置的概略构成之说明图。第二十三图系表示将微波电源及备压电源,作ON-OFF动作时的波形图。第二十四图(a)-(c)系表示微波电力、电浆密度及电子温度之关系的特性图。第二十五图(a)-(c)系表示微波电力、电浆密度及电子温度之关系的特性图。第二十六图系表示将微波电力及备压电力,作ON-OFF动作时,总负载比与成膜速度之关系的特性图。 |
