| 主权项 |
1.一种于测试机中测试电子组件(10)消耗的一致性测试装置,该装置包括:至少一个启动该组件(10)的电子电源供应器电路(240),该电路包括测量该电子组件(10)所消耗电流的测量电流装置;一测试顺序器(230),适于执行一要被应用到该组件(10)的测试列的顺序(231);以及一适于执行一测量列的顺序(251)的电流测量顺序器(250),每一个该顺序器符合一测试列,并且包括在执行该测试顺序(231)之前所定义的一测量旗标以及代表执行或不执行一电流测量的指令;该装置,特征在于该测量顺序器(250),包括复数个具有复数个取得列的取得记忆体(252),每一个取得记忆体符合一测量顺序(251)的测量旗标为正値的测量列,对每一个取得列而言该记忆体(252)包括:至少一限制値区域(B23,B24),其中一该电子组件(10)所耗电流的限制値(MLIM,mLIM)在执行该测试顺序(231)之前被写下;以及至少一一致性区域(A23,A24)其中,对每一个测量而言,一代表在与该记忆体(252)有关的一暂存器(253)中执行将所测量的电流与该限制値(MLIM,mLIM)之间做比较的结果的一致性旗标(M旗标,m旗标)被写下。2.如申请专利范围第1项之装置,特征在于该复数个取得记忆体(252)更包括一整体状态列(GS),该状态列包括一符合该一致性区域(A23,A24)的整体一致性区域,并且其中在执行该测试顺序(231)之后,一整体一致性旗标被写下,若所有该一致性旗标是正的,该整体一致性旗标也为正値;若至少一致性旗标是负的,则该整体一致性旗标也为负値。3.如申请专利范围第1项之装置,特征在于,对每一个取得列而言,该复数个取得记忆体(252)首先包括有一较低限制値(mLIM)的较低限値区域(B24),和有一较高限値(MLIM)的较高限値区域(B23),并且其次包括一指示与该较低限値(mLIM)比较结果的较低限値一致性区域(A24),以及一指示与该较高限値(MLIM)比较结果的较高限値一致性区域(A23)。4.如申请专利范围第2或3项之装置,特征在于该整体状态列(GS)包括一较低整体一致性区域和一较高整体一致性区域。5.如申请专利范围第1到第3项中任一项之装置,特征在于,对每一个取得列而言,该复数个取得记忆体(252)包括一较低比较区域(B22)和一较高比较区域(B21),在该区域中,在执行该测试顺序(231)之前,一较低比较旗标(mCOMP)和一较高比较旗标(MCOMP)被分别写下,该旗标分别代表一执行与一较低限制値(mLIM)做比较的指令以及一执行与一较高限制値(MLIM)做比较的指令。6.如申请专利范围第1到第3项中任一项之装置,特征在于,对每一个取得列而言,该复数个取得记忆体(252)包括一测量区域(A1),其中每一个测量所测量到的该电流値(VAL)被写下。7.如申请专利范围第1到第3项中任一项之装置,特征在于,具有测量组件(10)所耗电流的该装置,该组件适于递送一在复数个测量范围内的电流値,该复数个取得记忆体(252)包括一用于每一个取得列的范围区域(B1),在该区域中,在执行该测试顺序(231)之前,一指示所选择测量范围(HCR,LCR)的范围旗标(RNG)被写下。8.如申请专利范围第7项之装置,特征在于该复数个取得记忆体(252)包括一范围溢位区域(A21)和一范围下溢位区域(A22),在该区域中,一溢位旗标(RNG+)和一下溢位旗标(RNG-)在测量期间被分别写下,指示对该所选择范围而言该所测量的电流已上溢位或下溢位。图式简单说明:第一图是一测试机的整体图,包括测试消耗的本发明的一致性测试装置;第二图图示在本发明装置的该测试顺序,该测量顺序,和该复数个取得记忆体之间的架构的图;第三图是一显示图示于第二图中该复数个取得记忆体的结构的图;以及第四图是一图示该测量范围是如何变更的图。 |
