| 主权项 |
1.一种修整半导体电容之装置,系为提供半导体电容于制造完成后可再调整其最终电容値之装置,其包括:电容器,由主体电容及许多单位修整电容组成,该等单位修整电容可分别与该主体电容连接或隔离;熔丝器,根据其内部熔丝之连接/烧断组态而决定输出一组修整信号;以及编码器,将上述修整信号转换为一组控制信号以决定上述主体电容与单位修整电容之连接状态者;其中,最终电容标准値系被定在修整区间之中间附近,俾使该半导体电容可以被施予双向修整者。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该熔丝器受一致能信号控制,能够促使其在非致能状态下节省耗电能者。3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该致能信号系控制一金氧半电晶体与一逻辑闸阻隔修整垫,使其节省耗电能者。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该熔丝器每产生一个修整讯号仅需采用一个修整垫者。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该主体电容为该单位修整电容之整数倍者。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该编码器系当修整(增/减)单位修整电容愈少时,可使所须烧断之熔丝数目愈少者。图式简单说明:第一图系用来修整电容的装置。第二图系电容于半导体基板上之布局示意图。第三图(a)~第三图(e)系熔丝器之内部构造。第四图(a)~第四图(b)系表示所需电容之标准値被定在修整区间之中间附近。 |
