半导体制造装置

摘要

本创作揭示一种用于半导体制造装置中的真空控制和检测系统。该半导体制造装置有一个被导向一放置着将被加工的晶圆的托盘的真空管，控制系统包含一个响应由托盘提供的晶圆传感信号，并打开与托盘联接的真空管的电磁阀。一个当电磁阀被致动，在经过一个预定的时间之后，产生一个代表由真空力产生的晶圆吸持状态信号的延时器。同时包含一个当接收到晶圆传感信号后，产生一个致动信号，用于向电磁阀提供致动电压，并响应由延时器提供的晶圆吸持信号，启动进行制造工序的控制操作的控制单元。延时器的延时时间最好被设置为２秒或３秒。而且控制部分在控制单元内设置的预设时间过去之后，产生一个使得致动电压被中断的信号。延时器还产生一个代表晶圆吸持托盘真空释放状态的信号，并当提供给阀门装置的致动电压被中断时，将真空释放信号传给控制单兀。根据本创作，由于当真空被提供给晶圆吸持托盘之后，延时器适时地提供晶圆吸持信号，该信号响应于提供给致动线圈的致动电压的存在，同时提供真空释放信号，直接反映致动电压的中断，因而导向晶圆吸持托盘的真空管的真空开关可以被删除。

主权项

1.一种半导体制造装置,其中,真空管被导向一吸持着将被加工的半导体晶圆的托盘,该半导体制造装置中使用的真空控制和检测系统包含:一个响应由该托盘提供的晶圆传感信号,而打开与该托盘联接的真空管的电磁阀;一个当该电磁阀被提供了致动电压,在经过一个预定的时间之后,产生一个代表由真空力产生的晶圆吸持状态信号的延时器;一个当接收到晶圆传感信号后,产生一个致动信号,用于通过电源线向该电磁阀提供该致动电压,并响应由该延时器提供的晶圆吸持信号,启动进行制造工序所必须的控制操作的控制部分。2.如申请专利范围第1项所述的装置,其中该延时器的延时时间被设置为2秒或3秒。3.如申请专利范围第1项所述的装置,其中该控制部分在控制单元内设置的预设时间过去之后,产生一个使得该致动电压被中断的信号。4.如申请专利范围第1项所述的装置,其中该延时器还产生一个代表晶圆吸持托盘真空释放状态的信号,并当提供给该阀的致动电压被中断时,并将该真空释放信号传给控制单元。5.如申请专利范围第1或2项所述的装置,其中该延时器包含一个时间继电器,该继电器有一个启动信号输入和一个时间延迟信号输出,其中,信号输入与电磁阀的电源线相连,延迟信号输出与控制单元的一个信号输入端相连。图式简单说明:第一图示出一种用于传统半导体制造装置的真空控制和检测系统。第二图示出一种用于本创作半导体制造装置的真空控制系统。