避免矽化钨剥落之制程

摘要

本发明所提出为一种避免矽化钨剥落的方法，此方法但括，形成一垫氧化层于基板上。随之，沈积一层复晶矽于垫氧化层上。然后以WF6与SiH2Cl2气体反应方式形成一层矽化钨于复晶矽层上，将矽化钨层、复晶矽层、与垫氧化层以微影及蚀刻方式形成复晶矽化金属闸极结构。利用上述闸极结构为罩幕，施一离子植入，形成一轻掺杂区域于基板中，紧接着，沈积一介电层于上述复晶矽化金属闸极结构与基板上，然后以非等向性蚀刻介电层形成侧间隙壁。于氮气环境下施以一快速热回火制程，制程温度约为800℃时间持续约30秒，以避免复晶矽化金属剥落。然后施一重掺杂离子植入基板中，以闸极结构、侧间隙壁作为植入罩幕，形成具轻掺杂源/汲极结构之金氧半场效电晶体元件。

主权项

1.一种于积体电路上制作一不会剥落复晶矽化金属之具有轻掺杂源极与汲极结构之电晶体于半导体基板中之方法,该方法至少包含:形成一垫氧化层于该基板上;形成一复晶矽层于该垫氧化层上;形成一矽化钨层于该复晶矽层上;以微影及蚀刻方式蚀刻该矽化钨层、该复晶矽层与该垫氧化层形成闸极结构;以该闸极结构为罩幕,施以一轻掺杂离子植入,形成轻掺杂区域于该基板中;形成一介电层于该闸极结构上;蚀刻该介电层,形成侧间隙壁于该闸极结构之侧壁上;于氮气环境下施以一快速热处理;及以该闸极结构、该侧间隙壁为罩幕,施以重掺杂离子植入,将离子植入该基板中形成重掺杂离子区域,以形成具有轻掺杂源极与汲极结构之电晶体元件。2.如申请范围第1项之方法,其中上述之矽化钨层系以SiH2Cl2气体与WF6气体混和反应而形成于该复晶矽层上,其反应温度约为550℃。3.如申请范围第2项之方法,其中上述之矽化钨其Si/W之比値约为2.7。4.如申请范围第1项之方法,于氮气环境下施以一快速热处理后,其中上述之矽化钨其Si/W之比値不小于2.0。5.如申请范围第1项之方法,其中上述之矽化钨层,其厚度约为800至1200埃。6.如申请范围第1项之方法,其中上述之复晶矽层,其厚度约为700至1300埃。7.如申请范围第1项之方法,其中上述之介电层为一正乙酯矽酸层(TEOS)。8.如申请范围第1项之方法,其中上述之于氮气环境下施以一快速热处理,其温度约为800℃,持续约30秒。9.一种于积体电路上制作一不会剥落复晶矽化金属之具有轻掺杂源极与波极结构之电晶体于半导体基板中之方法,该方法至少包含:形成一垫氧化层于该基板上;形成一复晶矽层于该垫氧化层上;形成一矽化钨层于该复晶矽层上;以微影及蚀刻方式蚀刻该矽化钨层、该复晶矽层与该垫氧化层形成闸极结构;以该闸极结构为罩幕,施以一轻掺杂离子植入,形成轻掺杂区域于该基板中;形成一介电层于该闸极结构上;蚀刻该介电层,形成侧间隙壁于该闸极结构之侧壁上;于氮气环境下施以一快速热处理,温度约为800℃持续约为30秒;及以该闸极结构、该侧间隙壁为罩幕,施以重掺杂离子植入,将离子植入该基板中形成重掺杂离子区域,以形成具有轻掺杂源极与汲极结构之电晶体元件。10.如申请范围第9项之方法,其中上述之矽化钨层系以SiH2Cl2气体与WF6气体混和反应而形成于该复晶矽层上,其反应温度约为550℃。11.如申请范围第10项之方法,其中上述之矽化钨其Si/W之比値约为2.7。12.如申请范围第9项之方法,于氮气环境下施以一快速热处理后,其中上述之矽化钨其Si/W之比値不小于2.0。13.如申请范围第9项之方法,其中上述之矽化钨层,其厚度约为800至1200埃。14.如申请范围第9项之方法,其中上述之复晶矽层,其厚度约为700至1300埃。15.如申请范围第9项之方法,其中上述之介电层为一正乙酯矽酸层(TEOS)。图式简单说明:第一图至第四图系描述习知技术中制作具有复晶矽化金属闸极结构之轻掺杂源极金氧半场效电晶体之截面图;及第五图至第八图为本发明之制作具有复晶矽化金属闸极结构之轻掺杂源极金氧半场效电晶体之截面图延伸源/汲接面之截面图。