发明名称 HIGH-SPEED READ-OUT SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
申请公布号 KR100219008(B1) 申请公布日期 1999.09.01
申请号 KR19960038240 申请日期 1996.08.30
申请人 NEC CORPORATION 发明人 NAGASHIMA, HIROKAZU
分类号 G11C11/41;G11C5/14;G11C7/22;G11C11/401;G11C11/407;G11C11/409;G11C11/413;G11C11/419;(IPC1-7):G11C7/00 主分类号 G11C11/41
代理机构 代理人
主权项
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