发明名称 PARTIAL BLOCK REPAIR MEANS OF MEMORY CELL AND REPAIR METHOD USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100219492(B1) 申请公布日期 1999.09.01
申请号 KR19960047789 申请日期 1996.10.23
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 JU, JAE-HOON;LIM, JONG-HYUNG;KANG, SANG-SUK;YOU, BYUNG-IL
分类号 G11C7/00;(IPC1-7):G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人
主权项
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