| 主权项 |
1.一种非接触式IC卡,其特征为于可埋设天线用环形线圈以及IC晶片的已发泡之发泡氯乙烯系薄板中,埋入上述之天线用环形线圈以及IC晶片。2.一种非接触式IC卡,其特征为于可埋设天线用环形线圈以及IC晶片的已发泡之发泡氯乙烯系薄板中,埋入上述之天线用环形线圈以及IC晶片,发泡薄板之外侧覆有外层板,且上述之发泡薄板可与外层板热融着。3.根据申请专利范围第2项之非接触式IC卡,其特征为上述之发泡薄板为发泡氯乙烯系薄板而上述之外层板为氯乙烯系薄板。4.根据申请专利范围第1项之非接触式IC卡,其特征为上述之发泡氯乙烯系薄板含有后氯化氯乙烯类树脂。5.根据申请专利范围第1至4项中任一项之非接触式IC卡,其特征为上述之发泡薄板或发泡氯乙烯系薄板之外侧面覆有表皮层。6.根据申请专利范围第1至4项中任一项之非接触式IC卡,其特征为上述之天线用环形线圈以及IC晶片配置于塑胶薄板上,再将该塑胶薄板与上述之发泡氯乙烯系薄板或发泡薄板组合在一起。7.一种非接触式IC卡之制造方法,其特征为将天线用环形线圈以及IC晶片以发泡氯乙烯系薄板夹住,在吸真空环境中,加热并加压,使薄板中之气泡破裂,保持上述发泡氯乙烯系薄板中的气泡破裂之状态徐徐冷却,制成非接触式IC卡。8.一种非接触式IC卡之制造方法,其特征为将天线用环形线圈以及IC晶片以发泡薄板夹住,在吸真空环境中,加热并加压,使薄板中之气泡破裂,保持上述发泡氯乙烯系薄板中的气泡破裂之状态徐徐冷却,制成非接触式IC卡根据申请专利范围第1项之装置,其中该二次电子发射系数为约0.90至约0.45。9.根据申请专利范围第7项或第8项之制造方法,其中制造方法之特征为上述之天线用环形线圈以及IC晶片配置于塑胶薄板上,再将该塑胶薄板与上述之发泡氯乙烯系薄板或发泡薄板组合在一起。10.根据申请专利范围第7项或第8项之制造方法,其中制造方法之特征为上述之发泡薄板或发泡氯乙烯系薄板之外侧面覆有表皮层,并可实施印刷。图式简单说明:第一图为本发明之非接触式IC卡之制造方法第一种型式中,以模式说明加压前状态之部份放大剖面图图示。 |
