| 主权项 |
1.一种在基板上形成毫微孔性介电涂层之方法,其包括以下步骤:(a)将至少一个烷氧矽烷与相对高挥发性溶剂组合物、相对低挥发性溶剂组合物、及可选择的水掺混,因此可形成具有约2至约5之pH値之混合物,及造成烷氧矽烷之部份水解及部份凝结;(b)使足量的硷添加至步骤(a)的结果,以将混合物之pH値提高至约8或以上;(c)使得自于步骤(b)经提高pH値之混合物沈积至基板上,然使此相对高挥发性溶剂组合物之至少一部份蒸发;(d)使得自于步骤(c)之结果曝露至水蒸气;及(e)蒸发此相对低挥发性之溶剂组合物。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)系包括将水掺混于混合物中。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)系另外包括将触媒性酸量掺混于混合物中。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中烷氧矽烷系包含四乙氧矽烷。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中烷氧矽烷系包含四甲氧矽烷。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中相对高挥发性溶剂组合物乃具有约120℃或更低之沸点。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中相对低挥发性溶剂组合物乃具有约175℃或更高之沸点。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中相对高挥发性溶剂组合物乃包含一个或多个选自包括甲醇、乙醇、正-丙醇、异丙醇、正-丁醇及其混合物之组成。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中相对低挥发性溶剂组合物乃包含醇或多元醇。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中硷系包含至少一个胺。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中硷系选自包含一级、二级及三级烃胺、芳胺、醇胺及其混合物,其具有约100℃或以上之沸点。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中硷系选自包含单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、单异丙醇胺、四乙烯戊胺、2-(2-胺基乙氧)乙醇;2-(2-胺基乙胺基)乙醇及其混合物。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)系在水与矽烷之莫耳比自约0至约2之下处理水。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中硷系具有自约小于0至约9之pKb。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中烷氧矽烷系具有下式:其中至少2个R基为独立之C1至C4之烷氧基,而若有任何其余,系独立选自包含氢、烷基、苯基、卤素、带苯基。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中R为甲氧、乙氧或丙氧。17.根据申请专利范围第1项之方法,其中所得之毫微孔性涂层系具有自约1.1至约3.5之介电常数。18.根据申请专利范围第1项之方法,其中所得之毫微孔性涂层系具有自约1毫微米至约100毫微米之空孔尺寸。19.根据申请专利范围第1项之方法,其中基板乃含有隆起之布线图样于其表面上,其包含金属、氧化物、氮化物及/或氧氮化物材料。20.根据申请专利范围第1项之方法,其中基板系含有半导体材料。21.一种毫微孔性介电涂覆基板,系根据申请专利范围第1项之方法制造。22.一种利用以下方法制造之半导体装置,其包括如下步骤:(a)将至少一个烷氧矽烷与相对高挥发性溶剂组合物、相对低挥发性溶剂组合物、及可选择的水掺混,因此形成具有约2至约5之pH値之混合物,及造成烷氧矽烷之部份水解及部份凝结;(b)使足量的硷添加至步骤(a)之结果,以将混合物之pH値提高至约8或以上;(c)使得自于步骤(b)经提高pH値之混合物沈积至基板上,然使此相对高挥发性溶剂组合物之至少一部份蒸发;(d)使得自于步骤(c)之结果曝露至水蒸气;及(e)使此相对低挥发性溶剂组合物蒸发。图式简单说明:第一图为具有金属布线图样之基板示意图。第二图为反应前经烷氧矽烷组合物涂覆之图样化基板示意图。第三图为反应后经图样化及涂覆之基板示意图。 |
