| 摘要 |
<p>Es wird ein Sensor in Dünnfilmbauweise vorgeschlagen, der eine dielektrische Trägerschicht (21), auf der eine Platin enthaltende Schicht (23) angeordnet ist und mindstens eine darauf angeordnete Deckschicht (25) aufweist, wobei mindstens eine Oberfläche der Platin enthaltenden Schicht (23) zumindest bereichsweise mit einer zusätzlichen Haftschicht (22) aus Silizium versehen ist.</p> |
