发明名称 | 具有纳米结构发射体的场发射器件 | ||
摘要 | 一种包括一层设置在基板一个或多个表面中至少一部分上的分立固体微结构密集阵列的电极的电子场发射显示器,微结构的面积个数密度大于10<SUP>7</SUP>/cm<SUP>2</SUP>,微结构分别共形地外覆一层或多层电子发射材料,外覆电子发射材料设置在微结构的至少一部分上,其表面形貌显现纳米级凹凸不平。还揭示一种制备本发明中所使用电极的方法。 | ||
申请公布号 | CN1226337A | 申请公布日期 | 1999.08.18 |
申请号 | CN96180399.1 | 申请日期 | 1996.08.19 |
申请人 | 美国3M公司 | 发明人 | M·K·德比 |
分类号 | H01J1/30 | 主分类号 | H01J1/30 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 李玲 |
主权项 | 1.一种包括以一层设置在基板一个或多个表面中至少一部分上的分立固体微结构密集阵列为阴极的电极的电子场发射显示器,所述微结构的面积个数密度大于107/cm2,至少一部分所述微结构被共形地外覆一层或多层电子发射材料,所述外覆电子发射材料设置在每个所述微结构的至少一部分上,其表面形貌显现纳米级凹凸不平并提供每个微结构的多个可能的场发射位置。 | ||
地址 | 美国明尼苏达州 |