制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置

摘要

一种用于制造SiC单晶的装置,包括:一Si设置部分,其中放有固态硅;一籽晶设置部分,其中放有SiC的籽晶;一合成容器,适合于容纳Si设置部分、籽晶设置部分和碳;加热构件,适合于加热Si设置部分和籽晶设置部分;和一控制部分,用于向加热构件输送一指令,以将硅加热到硅的蒸发温度或更高,和将籽晶加热到高于Si的温度;其中,由加热构件蒸发的Si适于达到籽晶设置部分。本发明还涉及制造SiC单晶的方法。

主权项

1．一种制造SiC单晶的方法，包括：一设置步骤，将固态Si设置在一第一温度区域T1内，和将一SiC籽晶设置在一比所述第一温度区域T1高的第二温度区域T2内；一Si蒸发步骤，从所述第一温度区域T1蒸发Si；一SiC形成气体生成步骤，通过使所述蒸发的硅与碳反应生成SiC形成气体；和一单晶形成步骤，使所述SiC形成气体到达所述籽晶，以形成所述SiC单晶。