发明名称 Behandlungsverfahren von einer isolierenden Schicht in einer Halbleitervorrichtung und Apparat dafür
摘要
申请公布号 DE69228113(T2) 申请公布日期 1999.08.12
申请号 DE19926028113T 申请日期 1992.06.23
申请人 SEMICONDUCTOR PROCESS LABORATORY, CO. LTD., TOKIO/TOKYO, JP;ALCAN- TECH CO. INC., TOKIO/TOKYO, JP;CANON SALES CO. INC., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 MAEDA, KAZUO, C/O SEMICONDUCTOR PROCESS, MINATO-KU, TOKYO, JP;TOKUMASU, NOBORU, C/O SEMICONDUCTOR PROCESS, MINATO-KU, TOKYO, JP;NISHIMOTO, YUKO, C/O SEMICONDUCTOR PROCESS, MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L21/3105;(IPC1-7):H01L21/310 主分类号 H01L21/3105
代理机构 代理人
主权项
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