| 主权项 |
1.一种制造高纯度水的方法,包括:A)脱除给水中所 含悬 浮固体之预处理步骤;B)初级纯化处理步骤,以从该 预处 理步骤所得预处理过的水中脱除掉离子和非离子 性物质; C)二级纯化处理步骤,以对该初级纯化步骤所得初 级去离 子水进行离子交换处理或薄膜分离处理及其他处 理等;及 D)EIW(电解离子化水)制造步骤,将初级纯化处理完 毕后 所得初级去离子水或在二级纯化处理进展中所得 经处理水 施以直流电压予以电解而制得含氧化性物质之阳 极水及含 还原性物质之阴极水,所得的阳极水或阴极水之任 一者或 两者供清洁用之电解离子水。2.如申请专利范围 第1项之制造高纯度水的方法,其中该 EIW制造步骤系经由将初级纯化处理所得初级离子 水予以 电解而进行者并利用所得EIW清洁二级纯化处理所 用的装 置部份。3.如申请专利范围第1项之制造高纯度水 的方法,其中该 EIW制造步骤系经由将二级纯化处理所得二级去离 子水, 高纯度水予以电解而进行者并利用所得EIW来清洁 二级纯 化处理所用的装置部份。4.如申请专利范围第1项 之制造高纯度水的方法,其中该 EIW制造步骤系在中止二级纯化处理后进行者并使 用所得 EIW来清洁二级纯化处理所用的装置部份。5.一种 制造高纯度水的装置,包括:A)预处理单元(1), 以脱除给水中所含悬浮固体;B)初级纯化处理单元( 4), 用以从该预处理单元中所得预处理水脱除掉离子 和非离子 性物质;C)二级纯化处理单元(5),用以对该初级纯化 处 理单元中所得初级去离子水进行离子交换处理,薄 膜分离 处理或其他处理等;及D)电解单元(3),用以将该初级 纯 化处理完毕后所得经处理水及二级纯化处理所得 之处理水 施加直流电压,而得含氧化性物质之阳极水及含有 还原性 物质之阴极水,所得之阳极水或阴极之任一者或两 者系供 清洁用之电解离子水(EIW);且其中,该电解单元所得 EIW 系经给入以清洁二级纯化处理装置部份者。6.如 申请专利范围第5项之装置,其中更装着一个转换 单 元,用以将该电解单元所得阳极电解液EIW和阴极电 解液 EIW交互地给到欲清洁的二级纯化处理单元。7.如 申请专利范围第5项之装置,其中系将该电解单元 所 得阳极电解液EIW或阴极电解液EIW中任一者给到欲 清洁的 二级纯化处理单元。8.如申请专利范围第7项之装 置,其中该欲清洁的二级纯 化处理单元系用该电解单元所得到阳极电解液EIW 予以清 洁者且用阴极电解液EIW与废阳极电解液EIW混合。9 .如申请专利范围第7项之装置,其中该欲清洁的二 级纯 化处理单元系用该电解单元所得阴极电解液EIW予 以清洁 者且用阳极电解液EIW与废阴极电解液EIW混合。10. 如申请专利范围第5项之装置,其中该电解单元系 使用 初级去离子水作为给水进行电解者。11.如申请专 利范围第5项之装置,其中该电解单元系使用 二级去离子水作为给水进行电解者。12.如申请专 利范围第11项之装置,其更包括:一循环管 路,用以将一部份二级去离子水在该二级纯化处理 单元的 上游端内循环,其中该电解单元系用在该循环管路 中的二 级纯化水作为给水进行电解,且将所得EIW经由该循 环管 路循环在该二级纯化处理单元的上游端之内。13. 如申请专利范围第5项之装置,其中该二级纯化处 理单 元装设着一UV照射器且将该电解单元所得阳极电 解液EIW 给到该UV照射器内并清洁该UV照射器。14.如申请专 利范围第13项之装置,其更包括:一循环管 路,其系用以将一部份二级去离子水循环在该二级 纯化处 理单元的上游端之内,其中该电解单元系用该循环 管路中 的二级去离子水作为给水进行电解,且将所得阳极 电解液 EIW给到该UV照射装置之内。15.如申请专利范围第13 项之装置,其中该二级去离子处 理单元在该UV照射器后面装着去氧装置。16.如申 请专利范围第15项之装置,其中该去氧装置包含 :一混合装置,用以将电解单元所得阴极电解液EIW 与UV 照射器的废弃水混合:及一氢化处理装置,其系装 设在该 混合装置后面以用氢化触媒进行氢化反应。17.如 申请专利范围第5项之装置,其中该电解单元在电 解 之前,将一电解质或多种电解质添加到欲电解的给 水中。18.如申请专利范围第5项之装置,其中该二 级纯化处理单 元包含:一离子交换器以进行离子交换处理;及一 旁通途 径以旁通该离子交换器,该装置在将EIW给到二级纯 化单 元时,使该EIW流经该旁通途径而旁通过该离子交换 器。19.如申请专利范围第5项之装置,其中该电解 单元包含: 一阳极室,以容纳阳极;一阴极室,以容纳阴极;及一 中 间室,其系位于该阳极室与该阴极室之间者;同时 有离子 交换薄膜,形成阳极室与中间室之间的分隔及阴极 室与中 间室之间的分隔,离子交换树脂,其系充填在至少 该中间 室之内,该阳极系与分隔中间室和阳极室所用的离 子交换 薄膜和接触者,且该阴极系与分隔中间室和阴极室 所用的 离子交换薄膜和接触者。20.如申请专利范围第19 项之装置,其中该电解单元装着 一滤器以过滤电解所得之水。图式简单说明:第一 图为显 示出根据本发明的高纯度水制造装置实施例1概要 配置之 阐释性方块图;第二图为显示出根据本发明的高纯 度水制 造装置实施例2概要配置之阐释性方块图;第三图 为显示 出根据本发明的高纯度水制造装置实施例3概要配 置之阐 释性方块图;第四图为显示出根据本发明的高纯度 水制造 装置实施例4概要配置之阐释性方块图;第五图为 显示出 根据本发明的高纯度水制造装置实施例5概要配置 之阐释 性方块图;第六图为显示出根据本发明的高纯度水 制造装 置实施例6概要配置之阐释性方块图;第七图为显 示出根 据本发明的高纯度水制造装置实施例7概要配置之 阐释性 方块图;第八图为显示出根据本发明的高纯度水制 造装置 实施例8概要配置之阐释性方块图;第九图为显示 出根据 本发明的高纯度水制造装置中之三槽型电解单元 所具概要 配置之图形;第十图为显示出第九图所示电解单元 的配置 及管路流径之图形;第十一图为显示出第十图所示 电解单 元一个修改例的图形;第十二图为显示出第十图所 示电解 单元另一个修改例的图形;第十三图为显示出第十 图所示 电解单元又另一个修改例的图形;第十四图为显示 出传统 高纯度水制造装置的概要配置之阐释性方块图;及 第十五 图为显示出另一种传统高纯度水制造装置的概要 配置之阐 释性方块图。 |
