| 发明名称 | 半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制作半导体衬底的方法,通过除去半导体衬底的外周末端部分,以便使绝缘层的外周末端位于半导体层的外周末端与支承件的外周末端之间,从而该半导体层与绝缘层产生阶梯状外形,能有效地防止在绝缘层和半导体的部分中发生碎裂现象和产生碎片。 | ||
| 申请公布号 | CN1225499A | 申请公布日期 | 1999.08.11 |
| 申请号 | CN99101758.7 | 申请日期 | 1999.02.04 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 秋野丰;阿闭忠司 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1、一种半导体衬底，包括支承件；配置在该支承件上的绝缘层和配置在该绝缘层上的半导体层，其特征在于：所述半导体层的外周末端位于所述支承件外周末端的内侧，和所述绝缘层的外周末端位于所述半导体层的外周末端与所述支承件的外周末端之间，使得包括所述绝缘层和所述半导体层的半导体衬底外周末端部分出现阶梯状的外形。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||