| 摘要 |
<p>본 발명은 절연 박막 제조방법에 관한 것으로, 불순물이 제거된 기판 상에 스퍼터링법과 같은 박막증착방법을 이용하여 소정 량의 수소가스를 첨가하여 박막내의 산소 농도를 감소시켜 우수한 전기적 특성을 갖는 수소화된 절연 박막을 기판 상에 증착시킴으로써, 전기적 특성이 우수한 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히 박막제조시 부가적으로 수소가스를 첨가하여 박막내의 산소 농도를 감소시켜 우수한 전기적 특성을 갖는 수소화된 절연 박막을 반도체 기판 상에 증착시킴으로써, MIS형 반도체 소자를 제조할 수 있도록 하는 MIS형 반도체 소자의 절연 박막 제조방법에 관한 것이다.</p> |
