| 发明名称 |
Method for dry etching of GaAs |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0731499(B1) |
申请公布日期 |
1999.08.04 |
| 申请号 |
EP19960106836 |
申请日期 |
1992.10.28 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
KADOMURA, SHINGO;SATO, JUNICHI |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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