半导体器件

摘要

在P型半导体基片上通过扩散形成N^-型区,并且在N^-型区的表面部分形成P型区。在N^-型区外周部分形成P⁺型区,以便当施加高电压时抑制P型半导体基片的耗尽层的扩展。在半导体基片上形成栅氧化膜,并且在栅氧化膜上、特别是在基本上与横向N型沟道MOSFET的结构相同的沟道上形成多晶硅的栅极。在N^-型区内形成各电路元件并施加高电压。电路部分被隔离,而栅极和源区接地。这减少了制造高绝缘IC的步骤,提高了击穿电压并集成更密集的电路。

主权项

1．一种半导体器件，它包括：第一导电类型半导体基片；形成于所述第一导电类型半导体基片中的第二导电类型区；形成于所述第二导电类型区中、以便包围所述第二导电类型区中的一部分的第一导电类型区；形成于所述第一导电类型半导体基片中、以便包围所述第二导电类型区的第一导电类型高浓度区；形成于沟道区的栅极，它通过栅绝缘膜设置在所述第二导电类型区和所述第一导电类型高浓度区之间；和形成于所述第二导电类型区内所述部分中的第一电路元件，其中所述第一导电类型区，所述第一导电类型高浓度区和所述栅极相互电连接。