柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法

摘要

本发明公开的柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，步骤包括：将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ZnO陶瓷为靶材，生长室通入O2气体，控制压强为0.01～2Pa，室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ZnO籽晶层；分别配置浓度为0.01～0.1mol/L的硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液，并按体积比1：1混合，再将沉积有ZnO籽晶层的柔性衬底浸没于混合溶液中，在70～100℃下反应1～12h后取出，用去离子水漂洗，烘干，即可。本发明方法所用设备简单，易操作，制备的ZnO纳米线阵列化良好，粗细均匀，成本低，适宜于大规模生产。

主权项

柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，包括以下步骤：1)分别配置浓度为0.01～0.1mol/L的硝酸锌水溶液和浓度为0.01～0.1mol/L的六次甲基四胺水溶液；2)将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ZnO陶瓷为靶材，靶材与衬底之间的距离保持为4～6cm，生长室真空度至少抽至10-3Pa，生长室通入O2气体，控制压强为0.01～2Pa，室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ZnO籽晶层；3)将硝酸锌水溶液和六次甲基四胺水溶液按体积比1：1混合，再将上述沉积有ZnO籽晶层的柔性衬底浸没于混合溶液中，在70～100℃下反应1～12h后取出，用去离子水漂洗，烘干，即可。