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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE CAPABLE OF INDEPENDENTLY FORMING MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR100212101(B1) 申请公布日期 1999.08.02
申请号 KR19960055516 申请日期 1996.11.20
申请人 NEC CORPORATION 发明人 KINOSHITA, YASUSHI
分类号 H01L21/8249;H01L27/06;(IPC1-7):H01L27/06 主分类号 H01L21/8249
代理机构 代理人
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