| 主权项 |
1.一种矽晶基板之微小反射镜加工法,包括下列步骤:(i)在一矽晶基板上,沿特定方向蚀刻出微小平面,以做为反射镜;(ii)在前述反射镜之表面形成一氧化矽层;(iii)利用一加热的程序,使前述氧化矽与矽晶基板融化,然后再结晶,而形成具平坦表面的微小反射镜。2.如申请专利范围第1项的微小反射镜加工法,其中,前述加热的程序系指利用一雷射光源聚焦在前述氧化矽与矽晶基板的界面上。3.如申请专利范围第1项的微小反射镜加工法,更包括下列步骤:于前述再结晶的微小反射镜上,镀上一层金,藉以增加反射面的反射率。4.如申请专利范围第1项的微小反射镜加工法,其中,前述步骤(i)中的蚀刻方式可为利用氢氧化钾溶液沿着晶面进行的湿蚀刻或是乾式离子蚀刻。5.如申请专利范围第1项的微小反射镜加工法,其中,前述具有平坦表面之微小反射镜系指其平坦度在/4以下,其中,为使用的光波长。6.如申请专利范围第1项的微小反射镜加工法,其中,前述加热的程序系指直接将矽晶基板置于炉中加热。7.如申请专利范围第2项的微小反射镜加工法,其中,前述雷射光源系自前述矽晶基板之背面入射,穿过前述矽晶基板而聚集在氧化矽上。8.如申请专利范围第2项的微小反射镜加工法,其中,前述雷射光源为二氧化碳气体雷射。9.一种矽晶基板之微小反射镜加工法,包括下列步骤:(i)在一矽晶基板上,沿特定方向蚀刻出微小平面,以做为反射镜;(ii)在前述反射镜之表面形成一金属层;(iii)利用一加热的程序,使前述金属层与矽晶基板融化,然后再结晶成为共晶结构,而形成具平坦表面的微小反射镜。10.如申请专利范围第9项的微小反射镜加工法,其中,前述加热的程序系指利用一雷射光源聚焦在前述金属层与矽晶基板的界面。11.如申请专利范围第9项的微小反射镜加工法,更包括下列步骤:于前述再结晶成为共晶结构的微小反射镜上,镀上一层金,藉以增加反射面的反射率。12.如申请专利范围第9项的微小反射镜加工法,其中,前述步骤(i)中的蚀刻方式可为利用氢氧化钾溶液沿着晶面进行的湿蚀刻或是乾式离子蚀刻。13.如申请专利范围第9项的微小反射镜加工法,其中,前述具有平坦表面之微小反射镜系指其平坦度在/4以下,其中,为使用的光波长。14.如申请专利范围第9项的微小反射镜加工法,其中,前述加热的程序系指直接将矽晶基板置于炉中加热。15.如申请专利范围第9项的微小反射镜加工法,其中,前述金属层可为金。16.如申请专利范围第10项的微小反射镜加工法,其中,前述雷射光源系自前述矽晶基板之背面入射,穿过前述矽晶基板而聚集在金属层上。17.如申请专利范围第10项的微小反射镜加工法,其中,前述雷射光源为二氧化碳气体雷射。图式简单说明:第一图系绘示先前技术中一种包含微小反射镜的光学读取头之架构的图式。第二图a至第二图d系绘示在以矽晶基板为材料的光学读取头系统中,根据本发明之矽晶基板的微小反射镜加工法的一实施例之制程的图式。第三图a至第三图d系绘示在以矽晶基板为材料的光学读取头系统中,根据本发明之矽晶基板的微小反射镜加工法的另一实施例之制程的图式。 |
