| 发明名称 |
A flash memory cell and its method of fabrication |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
SG66366(A1) |
申请公布日期 |
1999.07.20 |
| 申请号 |
SG19970001356 |
申请日期 |
1997.04.30 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
LEE HSIAO-LUN |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L29/788;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
