DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO CON UNION PIN QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA A-SIGE DE TIPO I CON UN PUNTO MAXIMO PARA EL CONTENIDO DE GE.

摘要

SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA REGION LAMINAR ACTIVA SEMICONDUCTORA DE CLAVIJA DE UNION DISPUESTA SOBRE EL SUSTRATO.LA REGION LAMINAR COMPRENDE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-P (115) COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-P,UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-I COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-I, Y UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-N (103) COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-N; Y SE CARACTERIZA POR (A) UNA LAMINA SEPARADORA (118)QUE COMPRENDE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA CRISTALINA NO-UNICO CON APENAS ATOMOS DE GERMANIO SE INTERPONE ENTRE LAS LAMINAS SEMICONDUCTORAS TIPO-P Y TIPO-I,(B) UNA LAMINA SEPARADORA (117)QUE COMPRENDE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA CRISTALINA NO-UNICO CON APENAS ATOMOS DE GERMANIO SE INTERPONE ENTRE LAS LAMINAS TIPO-I TIPO-N, Y LA LAMINA TIPOI ESTA FORMADA POR UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA DE GERMANIO AMORFA CON UN 20 A UN 70%DE ATOMOS DE GERMANIO SOBRE LA REGION COMPLETA,DONDE LA DISTRIBUCION DE LOS ATOMOS DE GERMANIO EN LA DIRECCION DE GROSOR VARIA MIENTRAS SE PROVEE UN PUNTO DE CONCENTRACION MAXIMO