具有减小充电电流的存储器阵列

摘要

存储器阵列的位线和/或主位线(MBL)的距离被偏置,以减少对位线和/或主位线预充电所需充电电流。一集成电路(IC)包括以行和列排列的存储器单元阵列,存储器单元的每列有一对位线(BLTi和BLCi)。位线平行置于IC的第一层,每两位线对间有一特定电容CINT,相邻列位线间有一电容CEXT。位线连接选定的MBL对。MBL平行形成于IC的第二层上,两对主位线间有一电容(MCINT),在一对主位线和相邻主位线间有一电容(MCEXT)。调整位线间距离以便相对CEXT减小CINT,及/或调整MBL间距离,以便相对MCEXT减小MCINT。

主权项

1、一种集成电路(IC)，包括一以行和列排列的存储器单元阵列以及包括每列存储器单元的一对位线，每列的该对位线用于传送一单元的数据和其互补数据，其中位线被放置在IC的一层上，在成对位线之间有一电容CINT，在一对位线中的每一根线同相邻列的位线之间有一电容CEXT，其特征在于：调整位线间的距离，以使得成对位线间的距离大于每对位线中的位线和相邻列的位线之间的距离。