首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD FOR ANALYZING METALLIC IMPURITY AT SURFACE OF AND INSIDE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH11190730(A) 申请公布日期 1999.07.13
申请号 JP19970360718 申请日期 1997.12.26
申请人 NEC CORP 发明人 WATANABE KAORI
分类号 G01N1/28;G01N33/00;H01L21/308;H01L21/66;(IPC1-7):G01N33/00 主分类号 G01N1/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com