| 主权项 |
1.一种在次微米范围内制造光微影成像结构之方 法,其特 征为:-在基材上涂上一层光阻剂,光阻剂包含一种 具有 三级丁酯或三级丁氧基羰氧基的聚合物,一种以下 列 二叠氮-4-磺酸与一具如下结构之芳香族羟基化合 物:之 酯类为形式的光活性成分,其中:R1=H、烷基、卤烷 基、 烷氧基、苯基、卤苯基、苯氧基或卤素,R2=H、OH、 烷基 、卤烷基、烷氧基、苯基、卤苯基、苯氧基或卤 素,R3= 烷基、卤烷基、苯基、卤苯基、或单-、二-、三 羟基苯基 ,X=CO或SO2,但其条件为,羟基化合物系包含至少一个 OH基,同时经由SO2-O-基,羟基化合物与1至4个二 叠 氮-4-磺酸相连,以及一种合适的溶剂所组成,-烘乾 光阻 剂-光阻剂根据影像需要加以感光-将感光的光阻 剂予以温 度处理,温度介于120℃与150℃之间,过程共100至600 秒 -将经过上述处理的光阻剂予以湿式显像。2.一种 在次微米范围内制造光微影成像结构之方法,其特 征为:-在基材上涂上一层底层光阻剂-底层光阻剂 上涂上 一层上层光阻剂,上层光阻剂由羧酸酐基与包含三 级丁酯 或三级丁氧基碳氧基的聚合物,以及一种以下列之 二 叠氮-4-磺酸与一具如下结构之芳香族羟基化合物 之酯类 为形式之光活性成份,其中:R1=H、烷基、卤烷基、 烷氧 基、苯基、卤苯基、苯氧基或卤素,R2=H、OH、烷基 、卤 烷基、烷氧基、苯基、卤苯基、苯氧基或卤素,R3= 烷基 、卤烷基、苯基、卤苯基、或单-、二-、三羟基 苯基,X= CO或SO2,但其条件为,羟基化合物系包含至少一个OH 基 ,同时经由SO2-O-基,羟基化合物与1至4个二叠氮 -4 -磺酸相连,以及一种合适的溶剂所组成,-烘乾光阻 剂- 光阻剂根据影像需要加以感光-将感光的光阻剂予 以温度 处理,温度介于120℃与150℃之间,过程共100至600秒- 将经过上述处理的光阻剂予以湿式显像-将上层光 阻剂予 以矽化-在各向异性的氧电浆中,将底层光阻剂予 以乾式 显像。3.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其 中羟基化合物 为2,3,4-三羟基二苯甲酮。4.如申请专利范围第1项 或第2项之方法,其中光阻剂占光 活性成分的比例为质量的20%至40%,最好介于25%与35% 之 间。5.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中 光活性成分 中加入类化合物。6.如申请专利范围第1项之方 法,其中使用一种三级丁酯 基是以丙烯酸-、甲基丙烯酸-、乙烯基苯甲酸-或 肉桂酸- 三级丁酯为基础的聚合物。7.如申请专利范围第6 项之方法,其中系使用由甲基丙烯 酸-三级丁酯与甲基丙烯酸甲酯组成的共聚物。8. 如申请专利范围第2项之方法,其中使用一种羧酸 酐基 是以马来酸酐为基础的聚合物。9.如申请专利范 围第2项之方法,其中使用一种三级丁酯 是以丙烯酸-甲基丙烯酸、乙烯基苯甲酸-或肉桂 酸-三级 丁酯为基础的聚合物。10.如申请专利范围第8项或 第9项之方法,其中系使用马 来酸酐与甲基丙烯酸-三级丁酯组成的共聚物。11. 如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中使用一 种 三级丁氧基羰氧基是以三级丁氧基羰氧基苯乙烯 或-马来 醯亚胺为基础的聚合物。12.如申请专利范围第2项 之方法,其中矽化以极性、质子 性的矽化溶液来进行。13.如申请专利范围第12之 方法,其中系使用胺基矽氧烷 的醇溶液,特别是在一种乙醇与异丙醇混合物中的 溶液, 来作为矽化溶液。 |
