发明名称 通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件
摘要 本实用新型公开了一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件,包括以红外石英为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50%Cut on=3000±30nm,50%Cut on=3500±30nm,3050~3400nm,Tavg≥80%,300~6500nm(通带区域除外),Tavg≤0.1%。
申请公布号 CN204374464U 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201420757536.3 申请日期 2014.12.07
申请人 杭州麦乐克电子科技有限公司 发明人 吕晶;王继平;刘晶
分类号 G02B5/20(2006.01)I 主分类号 G02B5/20(2006.01)I
代理机构 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人 周豪靖
主权项  一种通过带为3000‑3500nm的红外滤光敏感元件,包括以红外石英为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有103nm厚度的Ge层、455nm厚度的SiO层、66nm厚度的Ge层、265nm厚度的SiO层、189nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、141nm厚度的Ge层、145nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、397nm厚度的SiO层、180nm厚度的Ge层、463nm厚度的SiO层、108nm厚度的Ge层、161nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、437nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、613nm厚度的SiO层、339nm厚度的Ge层、494nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、649nm厚度的SiO层、324nm厚度的Ge层、516nm厚度的SiO层、234nm厚度的Ge层、813nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有75nm厚度的Ge层、203nm厚度的SiO层、72nm厚度的Ge层、102nm厚度的SiO层、90nm厚度的Ge层、191nm厚度的SiO层、51nm厚度的Ge层、160nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、197nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、534nm厚度的SiO层。
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