| 发明名称 |
PROCEDE DE FORMATION D'UN CONTACT AUTO-ALIGNE DANS UN DIPOSITIF A SEMICONDUCTEUR |
| 摘要 |
<P>Le procédé inclut la formation d'une couche d'arrêt de gravure (106) sur un substrat semiconducteur (100) et sur un transistor (104), d'une couche diélectrique intercouche (108) sur la couche d'arrêt de gravure et d'un motif de masque comportant une ouverture en T sur la couche diélectrique intercouche pour mettre à nu une région active et une partie d'une région inactive, la gravure séquentielle de la couche diélectrique intercouche et de la couche d'arrêt de gravure jusqu'à une surface supérieure du substrat en utilisant le motif de masque pour former une ouverture de contact auto-aligné qui met à nu une surface supérieure du substrat, l'enlèvement du motif de masque, la formation d'une couche conductrice (112) dans l'ouverture de contact auto-aligné et sur la couche diélectrique intercouche et la gravure planarisante de la couche conductrice (112) et de la couche diélectrique intercouche (108) jusqu'à ce qu'une surface supérieure du masque de grille (104b) soit mise à nu, pour former au moins deux plots de contact.</P>
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| 申请公布号 |
FR2773417(A1) |
申请公布日期 |
1999.07.09 |
| 申请号 |
FR19990000017 |
申请日期 |
1999.01.05 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
CHANG HYUN CHO;HONG SIK JEONG;JAE GOO LEE;CHANG JIN KANG;SANG SUP JEONG;CHUL JUNG;CHAN OUK JUNG |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/311;H01L21/60;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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