| 发明名称 |
SENSING MARGIN TEST CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR200150076(Y1) |
申请公布日期 |
1999.07.01 |
| 申请号 |
KR19910023424U |
申请日期 |
1991.12.23 |
| 申请人 |
HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
AHN, YOUNG-CHANG |
| 分类号 |
G11C29/00;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C29/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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