发明名称 Method of fabricating nitride crystal,liquid phase growth method,nitride crya l,nitride crystal powders,and vapor phase growth method
摘要
申请公布号 GB9909954(D0) 申请公布日期 1999.06.30
申请号 GB19990009954 申请日期 1998.06.11
申请人 HITACHI CABLE, LTD. 发明人
分类号 C01B21/06;C01B21/072;C30B9/00;C30B15/00;C30B19/00 主分类号 C01B21/06
代理机构 代理人
主权项
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