摘要 |
本实用新型用于磷酸二氢钾(化学式KH<SUB>2</SUB>PO<SUB>4</SUB>简称KDP)大截面晶体的快速生长,尤其适用于KDP晶体光学器件毛坯的直接生长。载晶架采用不锈钢材料或有机玻璃、聚丙烯类或塑料王等材料制作而成。与其配套的长棒籽晶取向是根据KDP晶体在1.06μm波长下Ⅱ类46°~80°切割加工而成。通过载有长棒形的KDP籽晶的载晶架浸入KDP饱和溶液中生长成为实际需要的大截面晶体器件。这种载晶架容易制作,KDP长棒籽晶也容易获得。在KDP晶体生长中容易直接生长出大截面的晶体器件毛坯。它减少了成本消耗,减少晶体加工环节,操作简便,周期短,效率高,培养的晶体质量好。该实用新型也适用于KDP类型(DKDP、ADP等)同类型晶体的生长。 |