半导体装置及其制造方法

摘要

在构成重叠通路的第一、第二接触点之间形成布线的情况下,存在因重叠偏移而引起的充填特性的恶化等问题。在第一绝缘膜上进行充填并形成第一接触点后,在该第一接触点上形成布线,在该布线的侧剖面上形成由绝缘物质构成的侧壁。在包含布线的区域上用与侧壁不同的物质层叠第二绝缘膜,通过将在该第二绝缘膜中对用于充填第二接触点的通孔进行开口时的刻蚀条件定为难以刻蚀侧壁的条件,即使在布线与第二接触点中产生重叠偏移的情况下,也不刻蚀布线端部。

主权项

1．一种半导体装置，其特征在于，包括：在半导体衬底上层叠的第一绝缘膜；在上述第一绝缘膜的表面上层叠的第二绝缘膜；在上述半导体衬底的表面区中形成的有源区上为贯通上述第一绝缘膜而形成的第一接触点；连接到上述第一接触点上的、在上述第一绝缘膜的表面上形成的布线；在上述布线的侧剖面上以框状形成的侧壁；以及连接到上述布线的上表面上的、充填于上述第二绝缘膜中而形成的第二接触点，上述侧壁由与构成上述第二绝缘膜的物质不同的绝缘物质构成。