| 发明名称 | 等离子体处理方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理方法及装置包括,边导入规定的气体边排气,在保持真空室(1)内规定的压力的同时,在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5),通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力,使真空室(1)内产生等离子体,在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时,通过外皮,由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12),在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间,设置隔热材料(13),通过带有区域层加热器(22)的内室(16),将真空室内加热到80℃以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1220772A | 申请公布日期 | 1999.06.23 |
| 申请号 | CN98800305.8 | 申请日期 | 1998.03.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥村智洋;中山一郎;渡边彰三;原口秀夫 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 黄永奎 |
| 主权项 | 1．一种等离子体处理方法，是边向真空室(1)内提供气体，边由所述真空室内排气，控制所述真空室为规定的压力，同时，由于向天线(5)提供高频电力，通过电介体(9)向所述真空室内辐射电磁波，使所述真空室内产生等离子体，等离子体处理载置在所述真空室内的电极(6)上的基片(7)，其特征在于：通过导体外皮(17)，在具有由电磁波屏蔽的发热体(18)的电阻加热的加热器(11)上流过电流，由此，将所述电介体加热到80℃以上的等离子体处理方法。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||