| 主权项 |
1.一种绝缘层上有矽之沟渠接触窗结构,提供具有一埋入式氧化层之一基底,而埋入式氧化层上覆盖着一矽表层,其包括:一导电层,形成于该基底之上;一介电层,形成于该导电层之上;以及一金属插塞,穿透该介电层与该导电层,但不穿透该矽表层,该金属插塞与该导电层及该矽表层电性耦接;其中,在该矽表层与该金属插塞相连接处具有一掺杂区,该掺杂区电性与该矽表层相同,且掺杂浓度大于该矽表层。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中,该导电层包括一复晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中,该复晶矽层掺有杂质。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中,该导电层包括一金属层。5.一种绝缘层上有矽之沟渠接触窗结构,提供具有一埋入式氧化层之一基底,埋入式氧化层上覆盖着一基极,其包括:一闸极,形成于该基底之上;一介电层,形成于该导电层之上;以及一金属插塞,穿透该介电层与该闸极,但不穿透该基极,该金属插塞与该闸极及该基极电性耦接;其中,在该基极与该金属插塞相连接处具有一掺杂区,该掺杂区电性与该基极相同,且掺杂浓度大于该矽表层。6.如申请专利范围第5项所述之结构,其中,该闸极包括一复晶矽层。7.如申请专利范围第5项所述之结构,其中,该复晶矽层掺有杂质。图式简单说明:第一图系显示一种习知技艺BiCMOS元件在绝缘层上有矽结构之布局俯视图。第二图系显示根据本发明较佳实施例之BiCMOS元件在绝缘层上有矽结构之布局俯视图。第三图系显示第二图根据本发明较佳实施例之BiCMOS元件在绝缘层上有矽结构延A-A'切线之剖面图。 |
