| 主权项 |
1.一种金氧半导场效应电晶体的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一氧化层;在该氧化层上形成一多晶矽层;在该多晶矽层上形成一光阻层;定义该光阻层的图案以形成一角锥形的光阻层;以该角锥形的光阻层为罩幕,蚀刻该多晶矽层与该氧化层以形成一帽形的闸极结构;移除该角锥形的光阻层;以及进行一离子植入法,并且经一回火步骤,而形成具有一淡掺杂汲极结构之源/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该角锥形的光阻层的方法,包括在一微影制程的曝光步骤中,经由调整入射光源的角度而达成。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该角锥形的光阻层的形状系为下宽上窄。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该帽形的闸极结构的方法,包括利用复数种不同蚀刻速率的蚀刻剂来对该多晶矽层进行蚀刻。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该帽形的闸极结构的方法,包括利用复数种不同的蚀刻条件来对该多晶矽层进行蚀刻。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该帽形的闸极结构的形状系为下宽上窄。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该离子植入法的掺杂离子包括磷。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该离子植入法之离子植入的能量约为30KeV-100KeV。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该离子植入法之离子植入的剂量约为11013/cm2-11014/cm2。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该离子植入法之离子植入的深度约为0.02m-0.15m。11.一种金氧半导场效应电晶体的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一氧化层;在该氧化层上形成一多晶矽层;在该多晶矽层上形成一光阻层;定义该光阻层的图案以形成一角锥形的光阻层;以该角锥形的光阻层为罩幕,蚀刻该多晶矽层与该氧化层以形成一帽形的闸极结构;移除该角锥形的光阻层;进行一第一离子植入法,并且经一回火步骤,而形成具一第一浓度区与一第二浓度区之淡掺杂汲极结构的源/汲极区,其中该第一浓度区的掺质浓度小于该第二浓度区的掺质浓度;形成一间隙壁围绕于该闸极结构的周围;以及进行一第二离子植入法,并且经一回火步骤,而使部分的该第二浓度区形成一第三浓度区,其中该第二浓度区的掺质浓度小于该第三浓度区的掺质浓度。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中形成该角锥形的光阻层的方法,包括在一微影制程的曝光步骤中,经由调整入射光源的角度而达成。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该角锥形的光阻层的形状系为下宽上窄。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中形成该帽形的闸极结构的方法,包括利用复数种不同蚀刻速率的蚀刻剂来对该多晶矽层进行蚀刻。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中形成该帽形的闸极结构的方法,包括利用复数种不同的蚀刻条件来对该多晶矽层进行蚀刻。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该帽形的闸极结构的形状系为下宽上窄。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一离子植入法的掺杂离子包括磷。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一离子植入法之离子植入的能量约为30KeV-100KeV。19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一离子植入法之离子植入的剂量约为11013/cm2-11014/cm2。20.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一离子植入法之离子植入的深度约为0.0m-0.15m。21.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二离子植入法的掺杂离子包括磷。22.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二离子植入法之离子植入的能量约为150KeV-500KeV。23.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二离子植入法之离子植入的剂量约为11013/cm2-11014/cm2。24.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二离子植入法之离子植入的深度约为0.2m-0.6m。图式简单说明:第一图A至第一图F系绘示传统式金氧半导场效应电晶体中淡掺杂汲极结构之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图F系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种金氧半导场效应电晶体中淡掺杂汲极结构之制造流程的剖面示意图。 |
