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1.一种环型(ring-type)半透式相移光罩(attenuated phase shift mask, APSM)的制造方法,包括下列步骤:( a)于一光罩基板上,依序形成一半透式相移层,一遮 蔽层 ,和一光阻层;(b)施行第一阶段电子束曝光程序,用 以 在该光阻层的上半部形成第一曝光区域,界定出该 遮蔽层 将被蚀去的区域;(c)施行第二阶段电子束曝光程序 ,用 以在第一曝光区域范围内该光阻层的下半部形成 第二曝光 区域,界定出该半透式相移层将被蚀去的区域,其 中第一 曝光区域的水平范围大于第二曝光区域者;(d)施行 一显 影程序以去除第一和第二曝光区域部分的光阻层, 定义出 一阶梯型图案;(e)利用该光阻层下半部的图案当作 罩幕 ,依序蚀刻该遮蔽层和该半透式相移层至露出该光 罩基板 表面为止;(f)施行一氧电浆蚀刻程序,去除该光阻 层的 上半部,并藉此将该光阻层上半部的图案转移到下 半部; (g)利用该光阻层剩余部分的图案当作罩幕,进一步 蚀刻 该遮蔽层,使其剩余部分与该半透式相移层形成一 阶梯型 构造;以及(h)去除该光阻层,完成该环型半透式相 移光 罩的制造程序。2.如申请专利范围第1项所述之环 型半透式相移光罩的制 造方法,其中步骤(a)该光罩基板系一石英玻璃,该 半透 式相移层系一钼矽氮氧化物(MoSiON)层或一铬氮氧 化物( CrON)层,该遮蔽层系一铬金属层。3.如申请专利范 围第1项所述之环型半透式相移光罩的制 造方法,其中步骤(c)第一曝光区域与第二曝光区域 之边 界的间距系介于0.1m到0.4m之间。4.如申请专利 范围第1项所述之环型半透式相移光罩的制 造方法,其中步骤(e)系以湿式方法蚀刻该遮蔽层。 5.如申请专利范围第1项所述之环型半透式相移光 罩的制 造方法,其中步骤(e)系以乾式方法蚀刻该半透式相 移层 。6.如申请专利范围第1项所述之环型半透式相移 光罩的制 造方法,其中步骤(g)系以乾式或湿式方法蚀刻该遮 蔽层 。图式简单说明:第一图系传统Levenson氏所提出之 相移 光罩的剖面示意图;第二图系传统半透式相移光罩 的剖面 示意图;第三图系一环型半透式相移光罩的剖面示 意图; 第四图显示一系列光阻层中曝光强度分布图,说明 光罩上 半透式相移层未被遮蔽层盖住之环型区域的宽度d 与曝光 时侧叶效应之关系;第五图A至第五图G为一系列剖 面图, 说明习知环型半透式相移光罩的制造流程;以及第 六图A 至第六图G为一系列剖面图,说明依据本发明一较 佳实施 例的制造流程。 |
